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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 单片2波长半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1933265B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12 作者:  松木义幸;  万浓正也;  福久敏哉;  鹈饲勉   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2008270588A, 申请日期: 2008-11-06, 公开日期: 2008-11-06 作者:  福久 敏哉;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2008130876A, 申请日期: 2008-06-05, 公开日期: 2008-06-05 作者:  福久 敏哉;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008072145A, 申请日期: 2008-03-27, 公开日期: 2008-03-27 作者:  福久 敏哉;  木戸口 勲;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008060272A, 申请日期: 2008-03-13, 公开日期: 2008-03-13 作者:  福久 敏哉;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3971566B2, 申请日期: 2007-06-15, 公开日期: 2007-09-05 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007142227A, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07 作者:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2007067305A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15 作者:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1302589C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28 作者:  福久敏哉;  古川秀利   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1901302A, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24 作者:  福久敏哉;  万浓正也;  古川秀利   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18