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• 西安光学精密机械研... [19]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN105144410A, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2015-12-09 作者:  柴田馨;  秋田胜史;  藤井慧;  石塚贵司   |  收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利  OAI收割 专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪;  善积祐介   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利  OAI收割 专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05 作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  上野昌纪;  秋田胜史;  京野孝史   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18 作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  京野孝史;  秋田胜史;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101874309B, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30 作者:  上野昌纪;  盐谷阳平;  京野孝史;  秋田胜史;  善积祐介   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102474075A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  盐谷阳平;  善积祐介;  京野孝史;  住友隆道;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN基半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102473805A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  盐谷阳平;  京野孝史;  住友隆道;  秋田胜史;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体光元件、外延衬底 专利  OAI收割 专利号: CN102474076A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  秋田胜史;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18