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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置、光ピックアップ装置および半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2012079393A, 申请日期: 2012-04-19, 公开日期: 2012-04-19 作者:  村上 晋三;  種谷 元隆;  石黒 敬英;  増井 克栄;  福本 悟   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 面状発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008258171A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23 作者:  森岡 達也;  石田 真也;  花岡 大介;  種谷 元隆;  藤田 茂夫   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26 作者:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 分布帰還型半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3714984B2, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-11-09 作者:  高橋 幸司;  厚主 文弘;  種谷 元隆   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 リッジ導波路型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3710524B2, 申请日期: 2005-08-19, 公开日期: 2005-10-26 作者:  山本 圭;  平松 卓磨;  高橋 幸司;  種谷 元隆   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 光学素子および光学センサ 专利  OAI收割 专利号: JP2004140113A, 申请日期: 2004-05-13, 公开日期: 2004-05-13 作者:  宮西 晋太郎;  小嶋 邦男;  藤 寛;  種谷 元隆   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 多波長レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2004022717A, 申请日期: 2004-01-22, 公开日期: 2004-01-22 作者:  川上 俊之;  伊藤 茂稔;  種谷 元隆   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02 作者:  津田 有三;  湯浅 貴之;  伊藤 茂稔;  種谷 元隆;  山崎 幸生   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子および光学式情報再生装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001085796A, 申请日期: 2001-03-30, 公开日期: 2001-03-30 作者:  伊藤 茂稔;  山崎 幸生;  種谷 元隆   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000196143A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者:  種谷 元隆;  神川 剛;  毛利 裕一;  近藤 雅文   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18