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半導体発光装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3936109B2, 申请日期: 2007-03-30, 公开日期: 2007-06-27
作者:  
窪田 晋一;  堀野 和彦;  倉又 朗人
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000151023A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者:  
窪田 晋一
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/13
光半導体装置、その製造方法、および半導体ウェハ 专利  OAI收割
专利号: JP2000040858A, 申请日期: 2000-02-08, 公开日期: 2000-02-08
作者:  
倉又 朗人;  窪田 晋一;  堀野 和彦;  副島 玲子
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999346026A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  
窪田 晋一
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999340580A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10
作者:  
堂免 恵;  倉又 朗人;  窪田 晋一;  副島 玲子
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996236862A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者:  
窪田 晋一
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996236853A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者:  
窪田 晋一
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/18