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2波長半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3685306B2, 申请日期: 2005-06-10, 公开日期: 2005-08-17
作者:  西塚 満;  太田 啓之;  竹間 清文
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
窒化物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000323797A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
作者:  竹間 清文;  太田 啓之;  田中 利之
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザモジュールの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000269588A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
作者:  陳 農;  武井 清;  渡部 義昭;  竹間 清文
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18
窒化物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000244068A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
作者:  太田 啓之;  竹間 清文
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/30
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998200203A, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-07-31
作者:  渡部 義昭;  武井 清;  陳 農;  竹間 清文
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分布帰還型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998173285A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
作者:  陳 農;  渡部 義昭;  武井 清;  竹間 清文
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分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法及び分布帰還型半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998275959A, 公开日期: 1998-10-13
作者:  武井 清;  渡部 義昭;  陳 農;  竹間 清文
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