中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研... [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
专利 [12]
发表日期
2010 [3]
2009 [1]
2006 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
作者:
岸野 克巳
;
野村 一郎
;
玉村 好司
;
田才 邦彦
;
朝妻 庸紀
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:
岸野 克巳
;
野村 一郎
;
田才 邦彦
;
山口 恭司
;
中村 均
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:
岸野 克巳
;
野村 一郎
;
田才 邦彦
;
玉村 好司
;
朝妻 庸紀
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2009135528A, 申请日期: 2009-06-18, 公开日期: 2009-06-18
作者:
紀川 健
;
青木 雅博
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3774503B2, 申请日期: 2006-02-24, 公开日期: 2006-05-17
作者:
紀川 健
;
佐川 みすず
;
平本 清久
;
野本 悦子
;
豊中 隆司
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2020/01/13
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2001044556A, 申请日期: 2001-02-16, 公开日期: 2001-02-16
作者:
紀川 健
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2020/01/13
光モジュールおよび光伝送装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000068586A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
作者:
佐藤 宏
;
青木 雅博
;
紀川 健
;
藤崎 寿美子
;
大家 彰
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1999307865A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
作者:
重田 淳二
;
五島 滋雄
;
紀川 健
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998242561A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:
豊中 隆司
;
佐川 みすず
;
平本 清久
;
紀川 健
;
藤崎 寿美子
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995283483A, 申请日期: 1995-10-27, 公开日期: 1995-10-27
作者:
田中 俊明
;
紀川 健
;
柳澤 浩徳
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2020/01/18