机构

• 半导体研究所 [18]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [19]

内容类型

• 专利 [15]
• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2024 [1]
• 2011 [3]

学科主题

• 半导体器件 [12]
• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 In Situ Conversion of Artificial Proton-Rich Shell to Inorganic Maskant Toward Stable Single-Crystal Ni-Rich Cathode 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2024, 页码: 11 作者:  Xue, Haoyu;  Liang, Yongzhi;  Huang, Yuxiang;  Ji, Yuchen;  Xu, Zhongxing   |  收藏  |   GaN基大功率LED的外延生长 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  纪攀峰 收藏  |   Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 10, 页码: 103001, 103001 作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Xuecheng;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi   |  收藏  |   Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 11, 页码: 114006, 114006 作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Tongbo;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi   |  收藏  |   一种MOCVD设备中的石墨盘 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-10-25 胡强; 李晋闽; 王军喜; 曾一平; 路红喜; 伊晓燕; 马平; 魏同波; 闫建昌; 纪攀峰 收藏  |   MOCVD设备的石墨托盘 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽 收藏  |   倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 纪攀峰; 谢海忠; 梁萌; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽 收藏  |   在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02 孔庆峰; 马平; 纪攀峰; 卢鹏志; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 收藏  |   一种LED外延片的切裂方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |   转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 纪攀峰; 谢海忠; 郭恩卿; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽 收藏  |