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GaN基大功率LED的外延生长 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  纪攀峰
收藏  |  浏览/下载：47/3  |  提交时间：2011/06/09
Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs 期刊论文  OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 10, 页码: 103001, 103001
作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Xuecheng;  Liu, Zhe
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/06/14
Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer 期刊论文  OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 11, 页码: 114006, 114006
作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Tongbo;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/06/14
一种MOCVD设备中的石墨盘 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-10-25
胡强; 李晋闽; 王军喜; 曾一平; 路红喜; 伊晓燕; 马平; 魏同波; 闫建昌; 纪攀峰
收藏  |  浏览/下载：131/0  |  提交时间：2016/10/25
MOCVD设备的石墨托盘 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2016/08/30
倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
纪攀峰; 谢海忠; 梁萌; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/08/30
在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
孔庆峰; 马平; 纪攀峰; 卢鹏志; 杨华; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/09/02
一种LED外延片的切裂方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/08/30
转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
纪攀峰; 谢海忠; 郭恩卿; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/08/30
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31
作者:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆
  |  收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2011/08/31