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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improved pea reference genome and pan-genome highlight genomic features and evolutionary characteristics 期刊论文  OAI收割 NATURE GENETICS, 2022, 卷号: 54, 期号: 10, 页码: 1553+ 作者:  Yang, Tao;  Liu, Rong   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2024/03/07 一种UI、UU型硅钢片磁芯带气隙电感非标设计方法 专利  OAI收割 专利号: 2019101685371, 申请日期: 2021-01-12, 作者:  陈惠;  张鹏;  罗彦江;  冶青学;  王晓东   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/02/24 一种不等宽气隙组成的电感器 专利  OAI收割 专利号: 2019101692534, 申请日期: 2020-12-18, 作者:  张鹏;  何敏;  王晓东;  唐亮;  石明全   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/02/24 一种基于条形磁芯的UI/UU无气隙电感智能设计系统及方法 专利  OAI收割 专利号: 2017114004726, 申请日期: 2020-10-09, 作者:  王晓东;  张鹏   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/10/20 一种UI、UU型粉末磁芯斩波电感非标设计方法 专利  OAI收割 专利号: 2017114002896, 申请日期: 2019-12-06, 作者:  张鹏;  王晓东;  石明全;  焦海波;  徐泽宇   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/02/17 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超);  Zhu HL(朱慧珑)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05 Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Reliability, 2016 作者:  Luo WC(罗维春);  Yang H(杨红);  Wang WW(王文武);  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/09 Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文  OAI收割 ECS Transactions, 2016 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Qin ZL(秦长亮);  Cui HS(崔虎山)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/05/09 Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 Solid-State Electronics, 2015 作者:  Li JF(李俊峰);  Wang GL(王桂磊);  Xu YF(徐烨峰);  Luo J(罗军);  Guo YL(郭奕栾)   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/05/31