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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN110140264A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16 作者:  斯文·格哈德;  克里斯托夫·艾克勒;  艾尔弗雷德·莱尔;  贝恩哈德·施托耶茨   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13 用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN109891691A, 申请日期: 2019-06-14, 公开日期: 2019-06-14 作者:  艾尔弗雷德·莱尔;  格奥尔格·布吕德尔;  约翰·布鲁克纳;  斯文·格哈德;  穆罕默德·阿利   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/30 多模激光腔中的量子随机数生成的方法 专利  OAI收割 专利号: CN108352677A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31 作者:  瓦莱里奥·普鲁内里;  卡洛斯·艾贝兰;  瓦尔迪玛尔·阿玛亚;  摩根·威尔弗雷德·米切尔   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN108141010A, 申请日期: 2018-06-08, 公开日期: 2018-06-08 作者:  斯文·格哈德;  艾尔弗雷德·莱尔;  克莱门斯·菲尔海利希;  安德烈亚斯·莱夫勒;  克里斯托夫·艾克勒   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法 专利  OAI收割 专利号: CN107425413A, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01 作者:  克里斯托夫·艾希勒;  安德烈·佐默斯;  贝恩哈德·施托耶茨;  安德烈亚斯·莱夫勒;  艾尔弗雷德·莱尔   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 用于制造半导体芯片的方法和半导体芯片 专利  OAI收割 专利号: CN107394581A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24 作者:  克里斯托夫·艾希勒;  安德烈·佐默斯;  哈拉尔德·柯尼希;  贝恩哈德·施托耶茨;  安德烈亚斯·莱夫勒   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 专利  OAI收割 专利号: CN107394583A, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2017-11-24 作者:  艾尔弗雷德·莱尔;  安德烈亚斯·莱夫勒;  克里斯托夫·艾希勒;  贝恩哈德·施托耶茨;  安德烈·佐默斯   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18 具有覆层的激光器端面的激光二极管芯片 专利  OAI收割 专利号: CN106063058A, 申请日期: 2016-10-26, 公开日期: 2016-10-26 作者:  艾尔弗雷德·莱尔;  塞巴斯蒂安·特格尔;  索菲娅·赫普曼   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 激光二极管装置 专利  OAI收割 专利号: CN103326233B, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06 作者:  乌韦·施特劳斯;  森克·陶茨;  艾尔弗雷德·莱尔;  卡斯滕·奥恩;  克莱门斯·菲尔海利希   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 激光二极管装置 专利  OAI收割 专利号: CN105207052A, 申请日期: 2015-12-30, 公开日期: 2015-12-30 作者:  艾尔弗雷德·莱尔;  森克·陶茨;  乌韦·施特劳斯;  克莱门斯·菲尔海利希   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13