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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101867156B, 申请日期: 2013-12-11, 公开日期: 2013-12-11 作者:  城岸直辉;  荒木田孝博   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/26 垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101800398B, 申请日期: 2013-04-10, 公开日期: 2013-04-10 作者:  增井勇志;  荒木田孝博;  成瀬晃和;  幸田伦太郎;  城岸直辉   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101794966B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02 作者:  城岸直辉;  增井勇志;  幸田伦太郎;  荒木田孝博   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23 半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101834408B, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14 作者:  前田修;  增井勇志;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN102214896A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12 作者:  前田修;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博;  内田史朗   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN102214897A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12 作者:  增井勇志;  荒木田孝博;  菊地加代子;  成瀬晃和;  近藤幸一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102163803A, 申请日期: 2011-08-24, 公开日期: 2011-08-24 作者:  增井勇志;  荒木田孝博;  山内义则;  菊地加代子;  幸田伦太郎   |  收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2020/01/18 面发射半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102136676A, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27 作者:  汐先政贵;  前田修;  荒木田孝博;  佐藤进   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN102122792A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13 作者:  荒木田孝博;  内田史朗;  汐先政贵;  前田修   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2011096857A, 申请日期: 2011-05-12, 公开日期: 2011-05-12 作者:  荒木田 孝博;  内田 史朗;  汐先 政貴;  前田 修   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31