机构

• 上海微系统与信息技术... [4]
• 沈阳自动化研究所 [1]
• 兰州化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [1]
• 2011 [2]
• 2010 [2]

学科主题

• 材料科学与物理化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Surface modification of multilayer graphene using Ga ion irradiation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 16, 页码: 1-7 作者:  Wang Q(王权);  Shao, Ying;  Ge DH(葛道晗);  Yang QZ(杨启志);  Ren NF(任乃飞) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/07/22 Structure disorder degree of polysilicon thin films grown by different processing: Constant C from Raman spectroscopy 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 18 作者:  Wang, Quan;  Zhang, Yanmin;  Hu, Ran;  Ge, Daohan;  Ren, Naifei 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/10/20 有机溶剂在P型宏多孔硅电化学腐蚀中的应用研究 期刊论文  OAI收割 传感器与微系统, 2011, 期号: 11 陈平; 焦继伟; 葛道晗; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 多孔硅  微机电系统  有机溶剂  快速腐蚀   新型MEMS质量传感器的研究 期刊论文  OAI收割 仪表技术与传感器, 2011, 期号: 08 熊磊; 焦继伟; 葛道晗; 宓斌伟; 张轩雄 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 MEMS  谐振器  质量传感器  自补偿   电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究 期刊论文  OAI收割 传感器与微系统, 2010, 期号: 10 张圣; 焦继伟; 葛道晗; 顾佳晔; 严培力; 张颖 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/01/06 高K栅介质  HfO_2  Hf基高K栅介质材料  MOSFET器件   新型多孔硅结构的制备、形成机理及应用研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2010 葛道晗 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2012/03/06 硅的电化学  多孔硅  微电子机械系统（MEMS）  涌流模型  空间电荷区。