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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

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分布帰還型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1999195838A, 申请日期: 1999-07-21, 公开日期: 1999-07-21
作者:  西谷 昭彦;  東盛 裕一
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999026863A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:  竹下 達也;  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  福田 光男
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザと光増幅器を集積化した半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999017276A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22
作者:  西谷 昭彦;  須郷 満;  伊賀 龍三;  竹下 達也
  |  收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999004042A, 申请日期: 1999-01-06, 公开日期: 1999-01-06
作者:  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  竹下 達也
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998242559A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
作者:  西谷 昭彦;  須郷 満
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子の製法 专利  OAI收割
专利号: JP1996172238A, 申请日期: 1996-07-02, 公开日期: 1996-07-02
作者:  須郷 満;  天明 二郎;  西谷 昭彦;  倉持 栄一
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体装置の製法 专利  OAI收割
专利号: JP1996064906A, 申请日期: 1996-03-08, 公开日期: 1996-03-08
作者:  須郷 満;  倉持 栄一;  天明 二郎;  西谷 昭彦
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996056047A, 申请日期: 1996-02-27, 公开日期: 1996-02-27
作者:  須郷 満;  天明 二郎;  西谷 昭彦;  倉持 栄一
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18