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机构
西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2000 [1]
1997 [2]
1996 [1]
1995 [1]
1994 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3138095B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-26
作者:
本多 正治
;
庄野 昌幸
;
池上 隆俊
;
別所 靖之
;
▲広▼山 良治
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提交时间:2020/01/13
埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1997129963A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:
賀勢 裕之
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997064472A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
作者:
▲広▼山 良治
;
西田 豊三
;
賀勢 裕之
;
伊藤 順子
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1996181385A, 申请日期: 1996-07-12, 公开日期: 1996-07-12
作者:
本多 正治
;
庄野 昌幸
;
池上 隆俊
;
別所 靖之
;
▲広▼山 良治
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1995022696A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
作者:
本多 正治
;
庄野 昌幸
;
池上 隆俊
;
別所 靖之
;
▲広▼山 良治
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994181361A, 申请日期: 1994-06-28, 公开日期: 1994-06-28
作者:
庄野 昌幸
;
本多 正治
;
▲ひろ▼山 良治
;
池上 隆俊
;
賀勢 裕之
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提交时间:2020/01/18