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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP3138095B2, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2001-02-26
作者:  
本多 正治;  庄野 昌幸;  池上 隆俊;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997129963A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:  
賀勢 裕之
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997064472A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
作者:  
▲広▼山 良治;  西田 豊三;  賀勢 裕之;  伊藤 順子
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996181385A, 申请日期: 1996-07-12, 公开日期: 1996-07-12
作者:  
本多 正治;  庄野 昌幸;  池上 隆俊;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995022696A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
作者:  
本多 正治;  庄野 昌幸;  池上 隆俊;  別所 靖之;  ▲広▼山 良治
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1994181361A, 申请日期: 1994-06-28, 公开日期: 1994-06-28
作者:  
庄野 昌幸;  本多 正治;  ▲ひろ▼山 良治;  池上 隆俊;  賀勢 裕之
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18