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The status of pollutants in the three gorges reservoir area, China and its ecological health assessment 期刊论文  OAI收割
American Journal of Environmental Sciences, 2016, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 308-316
作者:  Lu, Chun-Jiao;  Luo, Dan;  Junaid, Muhammad;  Duan, Jin-Jing;  Ding, Shi-Min
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半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101276995B, 申请日期: 2014-08-27, 公开日期: 2014-08-27
作者:  近江晋;  岸本克彦
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
平茬与间伐对古尔班通古特沙漠人工林土壤水分的影响/Effects of Cutting and Thinning Management on Soil Moisture in Plantation Area of Gurbantunggut Desert[J] 期刊论文  OAI收割
干旱区研究, 2014, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 998-1004
作者:  姜有为;  蒋进;  宋春武;  张恒;  JIANG You-wei
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/12/29
保水剂对梭梭幼苗生长及根系形态的影响/Effect of super absorbent polymer on the growth and root morphology of Haloxylon ammodendron seedlings[J] 期刊论文  OAI收割
草业学报, 2012, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 51-56
作者:  李兴;  蒋进;  宋春武;  闵首军;  张恒
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/12/29
窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割
专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛
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窒化物半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4408802B2, 申请日期: 2009-11-20, 公开日期: 2010-02-03
作者:  毛利 裕一;  近江 晋
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
GaN系結晶膜の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4390090B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24
作者:  伊藤 茂稔;  近江 晋
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氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN1979984A, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2007-06-13
作者:  近江晋;  高谷邦启;  山下文雄;  种谷元隆
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN系レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
作者:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之
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窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999087850A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  近江 晋;  奥村 敏之;  猪口 和彦
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