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发表日期

• 2016 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The status of pollutants in the three gorges reservoir area, China and its ecological health assessment 期刊论文  OAI收割 American Journal of Environmental Sciences, 2016, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 308-316 作者:  Lu, Chun-Jiao;  Luo, Dan;  Junaid, Muhammad;  Duan, Jin-Jing;  Ding, Shi-Min   |  收藏  |   半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101276995B, 申请日期: 2014-08-27, 公开日期: 2014-08-27 作者:  近江晋;  岸本克彦   |  收藏  |   平茬与间伐对古尔班通古特沙漠人工林土壤水分的影响/Effects of Cutting and Thinning Management on Soil Moisture in Plantation Area of Gurbantunggut Desert[J] 期刊论文  OAI收割 干旱区研究, 2014, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 998-1004 作者:  姜有为;  蒋进;  宋春武   |  收藏  |   保水剂对梭梭幼苗生长及根系形态的影响/Effect of super absorbent polymer on the growth and root morphology of Haloxylon ammodendron seedlings[J] 期刊论文  OAI收割 草业学报, 2012, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 51-56 作者:  李兴;  蒋进;  宋春武;  闵首军;  张恒   |  收藏  |   窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18 作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛   |  收藏  |   窒化物半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4408802B2, 申请日期: 2009-11-20, 公开日期: 2010-02-03 作者:  毛利 裕一;  近江 晋   |  收藏  |   GaN系結晶膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4390090B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24 作者:  伊藤 茂稔;  近江 晋   |  收藏  |   氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN1979984A, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2007-06-13 作者:  近江晋;  高谷邦启;  山下文雄;  种谷元隆   |  收藏  |   GaN系レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28 作者:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之   |  收藏  |   窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999087850A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  近江 晋;  奥村 敏之;  猪口 和彦   |  收藏  |