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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 2014 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101276995B, 申请日期: 2014-08-27, 公开日期: 2014-08-27 作者:  近江晋;  岸本克彦   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18 作者:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/23 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4408802B2, 申请日期: 2009-11-20, 公开日期: 2010-02-03 作者:  毛利 裕一;  近江 晋   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN系結晶膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4390090B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24 作者:  伊藤 茂稔;  近江 晋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN1979984A, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2007-06-13 作者:  近江晋;  高谷邦启;  山下文雄;  种谷元隆   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN系レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28 作者:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999087850A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  近江 晋;  奥村 敏之;  猪口 和彦   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18