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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1996 [1]
1995 [1]
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半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31
作者:
河西 秀典
;
森本 泰司
;
兼岩 進治
;
林 寛
;
宮内 伸幸
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999026873A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05
作者:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2723649B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:
河西 秀典
;
山本 修
;
近藤 正樹
;
佐々木 和明
;
松本 晃広
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1996213696A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
作者:
山本 三郎
;
森本 泰司
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995109926B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22
作者:
近藤 正樹
;
佐々木 和明
;
森本 泰司
;
松本 晃広
;
細羽 弘之
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994080869B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12
作者:
山本 三郎
;
細田 昌宏
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1994080868B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12
作者:
山本 三郎
;
細田 昌宏
;
佐々木 和明
;
近藤 正樹
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提交时间:2020/01/18