机构

• 西安光学精密机械研... [25]

采集方式

• OAI收割 [25]

内容类型

• 专利 [25]

发表日期

• 2010 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [3]
• 2003 [3]
• 2001 [2]
• 2000 [2]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 光ディスク記録装置 专利  OAI收割 专利号: JP4626102B2, 申请日期: 2010-11-19, 公开日期: 2011-02-02 作者:  鈴木 良明   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体光増幅器の特性選別方法およびその装置 专利  OAI收割 专利号: JP3863084B2, 申请日期: 2006-10-06, 公开日期: 2006-12-27 作者:  曲 克明;  伊藤 敏夫;  上岡 裕之;  鈴木 安弘;  大橋 弘美   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24 光半導体素子、光半導体素子の実装構造、および光半導体素子群の包装構造 专利  OAI收割 专利号: JP3857435B2, 申请日期: 2006-09-22, 公开日期: 2006-12-13 作者:  鈴木 慎一;  鈴木 伸明;  佐野 正志   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 III族窒化物半導体薄膜の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3707211B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19 作者:  大井 明彦;  鈴木 健;  松井 俊之;  松山 秀昭;  上條 洋   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02 作者:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  吉田 博昭;  鈴木 真理子   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 半導體發光裝置及使用其之光碟裝置 专利  OAI收割 专利号: TWI228338B, 申请日期: 2005-02-21, 公开日期: 2005-02-21 作者:  阿部 博明;  我妻 新一;  星 望;  鈴木 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/23 導波路付半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3411324B2, 申请日期: 2003-03-20, 公开日期: 2003-05-26 作者:  曲 克明;  湯田 正宏;  鈴木 安弘;  柴田 泰夫;  笠谷 和生   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07 作者:  辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光増幅器の測定装置及び測定方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003008125A, 申请日期: 2003-01-10, 公开日期: 2003-01-10 作者:  伊藤 敏夫;  曲 克明;  佐藤 里江子;  鈴木 安弘   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04 作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26