中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
_filter
_filter
_filter
筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

条数/页： 排序方式：
決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利  OAI收割
专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21
作者:  玉村好司
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/23
半導體發光元件之製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01
作者:  加藤豪作;  野口裕泰;  長井政春
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999150330A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:  野口 裕泰;  加藤 豪作;  長井 政春
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999150329A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:  中山 典一;  大原 真穂;  金子 由美;  谷口 理;  長井 政春
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998326941A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08
作者:  長井 政春;  青木 徹;  畑中 義式;  石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:  戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
光半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
作者:  松元 理;  冨谷 茂隆;  中野 一志;  長井 政春;  伊藤 哲
  |  收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2020/01/13