机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]
• 1998 [2]
• 1996 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利  OAI收割 专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21 作者:  玉村好司;  本弘範;  長井政春;  池田昌夫   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/23 半導體發光元件之製造方法 专利  OAI收割 专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01 作者:  加藤豪作;  野口裕泰;  長井政春   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999150330A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  野口 裕泰;  加藤 豪作;  長井 政春   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999150329A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 作者:  中山 典一;  大原 真穂;  金子 由美;  谷口 理;  長井 政春   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998326941A, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08 作者:  長井 政春;  青木 徹;  畑中 義式;  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04 作者:  戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20 作者:  松元 理;  冨谷 茂隆;  中野 一志;  長井 政春;  伊藤 哲   |  收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2020/01/13