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浏览/检索结果: 共7条,第1-7条 帮助

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発光デバイス及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2010027732A, 申请日期: 2010-02-04, 公开日期: 2010-02-04
作者:  
赤川 武志;  辻 正芳;  阿南 隆由;  鈴木 尚文;  畠山 大
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3189791B2, 申请日期: 2001-05-18, 公开日期: 2001-07-16
作者:  
阿南 隆由
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999087835A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  
阿南 隆由
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998223969A, 申请日期: 1998-08-21, 公开日期: 1998-08-21
作者:  
阿南 隆由
  |  收藏  |  浏览/下载:41/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2743664B2, 申请日期: 1998-02-06, 公开日期: 1998-04-22
作者:  
阿南 隆由
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1993283743A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者:  
阿南 隆由
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
面発光レーザおよび半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP2009141119A, 公开日期: 2009-06-25
作者:  
屋敷 健一郎;  辻 正芳;  阿南 隆由;  鈴木 尚文;  畠山 大
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26