中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研... [13]
采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
2012 [2]
2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [3]
2004 [1]
更多
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共13条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
半导体光学元件的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101950924B, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
作者:
阿部真司
;
川崎和重
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/26
氮化物半导体装置的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101752783B, 申请日期: 2012-03-14, 公开日期: 2012-03-14
作者:
阿部真司
;
川崎和重
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/12/26
半导体发光元件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN102148477A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
作者:
冈贵郁
;
阿部真司
;
川崎和重
;
佐久间仁
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件
专利
OAI收割
专利号: CN101877456A, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2010-11-03
作者:
冈贵郁
;
阿部真司
;
川崎和重
;
堀江淳一
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2020/01/18
多波长半导体激光装置
专利
OAI收割
专利号: CN101867157A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
作者:
阿部真司
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2020/01/18
氮化物半导体装置及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:
盐泽胜臣
;
金本恭三
;
大石敏之
;
黑川博志
;
川崎和重
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/31
半导体光学元件的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101276993A, 申请日期: 2008-10-01, 公开日期: 2008-10-01
作者:
阿部真司
;
川崎和重
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半导体光元件的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101272037A, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2008-09-24
作者:
阿部真司
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半导体激光器的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN101262119A, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
作者:
中村仁志
;
阿部真司
;
西口晴美
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22
作者:
竹見 政義
;
小野 健一
;
花巻 吉彦
;
綿谷 力
;
八木 哲哉
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2020/01/13