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半导体研究所 [6]
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采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [5]
专利 [4]
发表日期
2021 [1]
2020 [1]
2011 [2]
2010 [2]
2009 [2]
学科主题
光电子学 [4]
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共9条,第1-9条
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一种Ni柱子辅助PMMA微透镜阵列及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN113608285, 申请日期: 2021-01-01, 公开日期: 2021
作者:
梁小筱
;
伊福廷
;
刘静
;
王波
;
张天冲
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2023/06/02
一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法
专利
OAI收割
专利号: CN111217320, 申请日期: 2020-01-01, 公开日期: 2020
作者:
刘静
;
伊福廷
;
王波
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/02
246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
作者:
陈良惠
;
赵德刚
;
颜廷静
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/08/16
Fabrication of246 nm back-illuminated AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector
期刊论文
OAI收割
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2011, 2011, 卷号: 40, 40, 期号: 1, 页码: 32-35, 32-35
作者:
Yan, Tingjing
;
Chong, Ming
;
Zhao, Degang
;
Zhang, Shuang
;
Chen, Lianghui
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2012/06/14
Alloying
Fabrication
Gallium
Heterojunctions
Optoelectronic devices
Pixels
Alloying
Fabrication
Gallium
Heterojunctions
Optoelectronic Devices
Pixels
GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
颜廷静
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/08/12
可降解AZ31镁合金支架在兔腹主动脉的降解性能研究
期刊论文
OAI收割
介入放射学杂志, 2010, 期号: 4, 页码: 315-317
李海伟
;
徐克
;
杨柯
;
刘静
;
张炳春
;
夏永辉
;
郑丰
;
韩洪波
;
谭丽丽
;
洪铎
;
颜廷亭
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提交时间:2012/04/12
可降解镁合金支架
兔腹主动脉
降解
Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响
期刊论文
OAI收割
半导体光电, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 541-545
作者:
颜廷静
;
陈良惠
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提交时间:2010/11/23
NiO removal of Ni/Au Ohmic contact to p-GaN after annealing
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 101-104
作者:
Yan Tingjing
;
Chen Lianghui
;
Zhang Shuming
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
紫外-红外双波段探测器及其制作方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084157.6, 公开日期: 2011-08-31
颜廷静
;
种明
;
苏艳梅
;
林孟喆
;
王晓勇
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提交时间:2011/08/31