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• 西安光学精密机械研... [31]

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 面発光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25 作者:  竹ノ内 弘和;  舘野 功太;  大礒 義孝;  伊藤 義夫;  天野 主税   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3243772B2, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2002-01-07 作者:  田所 貴志;  大礒 義孝;  黒川 隆志   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 光スイッチアレイ 专利  OAI收割 专利号: JP3228384B2, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-11-12 作者:  松尾 慎治;  黒川 隆志;  中原 達志;  福島 誠治;  小濱 剛孝   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光半導体レーザ製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3147328B2, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-03-19 作者:  大礒 義孝;  黒川 隆志   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 長波長帯面発光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3123030B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-09 作者:  大磯 義孝;  小濱 剛孝   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 面発光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3097938B2, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-10-10 作者:  大礒 義孝;  小濱 剛孝;  黒川 隆志   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 短パルス光源 专利  OAI收割 专利号: JP1999346023A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14 作者:  津田 裕之;  竹ノ内 弘和;  黒川 隆志;  神徳 正樹   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体薄膜及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998261839A, 申请日期: 1998-09-29, 公开日期: 1998-09-29 作者:  舘野 功太;  大磯 義孝;  天野 主税;  若日 温;  黒川 隆志   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 光レジスタメモリ 专利  OAI收割 专利号: JP2793381B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03 作者:  津田 裕之;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 出力波長可変型光レジスタメモリ 专利  OAI收割 专利号: JP2793382B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03 作者:  津田 裕之;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26