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III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000012976A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
作者:  黒田 尚孝;  砂川 晴夫;  笹岡 千秋
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997129981A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
作者:  黒田 尚孝
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2586118B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
作者:  黒田 尚孝;  菅生 繁男
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2586349B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26
作者:  黒田 尚孝;  岩田 普
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/13
結晶成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996162481A, 申请日期: 1996-06-21, 公开日期: 1996-06-21
作者:  黒田 尚孝
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
光半導体素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994314657A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:  黒田 尚孝
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