机构

• 西安光学精密机械研究... [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2014 [1]
• 2009 [1]
• 1999 [2]
• 1998 [2]
• 1997 [3]

学科主题

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 照明装置 专利  OAI收割 专利号: JP2014170673A, 申请日期: 2014-09-18, 公开日期: 2014-09-18 作者:  藤巻 洋介;  齋藤 康行;  森 利雄   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 變阻器及發光裝置 专利  OAI收割 专利号: TW200903529A, 申请日期: 2009-01-16, 公开日期: 2009-01-16 作者:  佐藤弘幸;  齋藤洋;  田中隆一;  沼田真;  武內吾郎   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999163406A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  吉井 重雄;  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  西川 孝司;  宮永 良子;  吉井 重雄;  齋藤 徹;  上山 智   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998112565A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28 作者:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置 专利  OAI收割 专利号: JP1997312445A, 申请日期: 1997-12-02, 公开日期: 1997-12-02 作者:  齋藤 徹;  辻村 歩;  佐々井 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997293929A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11 作者:  齋藤 徹;  佐々井 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997232672A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05 作者:  佐々井 洋一;  辻村 歩;  上山 智;  齋藤 徹   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18