机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2020 [1]
• 2018 [5]
• 2017 [2]

学科主题

• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Demonstration of N-Polar III-Nitride Tunnel Junction LED 期刊论文  OAI收割 ACS PHOTONICS, 2020, 卷号: 7, 期号: 7, 页码: 1723-1728 作者:  Yuantao Zhang;   Gaoqiang Deng;   Ye Yu;   Yang Wang;   Degang Zhao;   Zhifeng Shi;   Baolin Zhang;   Xiaohang Li   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/06/28 Simulation and fabrication of N-polar GaN-based blue-green light- emitting diodes with p-type AlGaN electron blocking layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9321-9325 作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Ye Yu;  Long Yan;  Pengchong Li;  Xu Han;  Liang Chen;  Degang Zhao;  Guotong Du   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/11/19 Study on the structural, optical, and electrical properties of the yellow light-emitting diode grown on free-standing (0001) GaN substrate 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2018, 卷号: 116, 页码: 1-8 作者:  Gaoqiang Deng ;   Yuantao Zhang ;   Ye Yu ;   Long Yan ;   Pengchong Li ;   Xu Han ;   Liang Chen ;   Degang Zhao ;   Guotong Du   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/11/19 Growth of AlGaN-based multiple quantum wells on SiC substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 7756-7762 作者:  Xu Han;   Yuantao Zhang;   Pengchong Li ;   Long Yan ;   Gaoqiang Deng ;   Liang Chen ;   Ye Yu ;   Degang Zhao ;   Jingzhi Yin   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/11/19 Significantly reduced in-plane tensile stress of GaN films grown on SiC substrates by using graded AlGaN buffer and SiN x interlayer 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 122, 页码: 74-79 作者:  Gaoqiang Deng ;   Yuantao Zhang ;   Ye Yu ;   Zhen Huang ;   Xu Han ;   Liang Chen ;   Long Yan ;   Pengchong Li ;   Xin Dong ;   Degang Zhao ;   Guotong Du   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/11/19 Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 151607 作者:  Gaoqiang Deng;   Yuantao Zhang;   Ye Yu;   Long Yan;   Pengchong Li;   Xu Han;   Liang Chen;   Degang Zhao;   Guotong Du   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/19 The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer 期刊论文  OAI收割 CrystEngComm, 2017, 卷号: 19, 页码: 4330–4337 作者:  Gaoqiang Deng;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Long Yan;  Pengchong Li   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/30 The property optimization of n-GaN films grown on n-SiC substrates by incorporating a SiNx interlayer 期刊论文  OAI收割 J Mater Sci: Mater Electron, 2017, 卷号: 28, 页码: 6008–6014 作者:  Shuang Cui;  Yuantao Zhang;  Zhen Huang;  Gaoqiang Deng;  Baozhu Li   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/11/30