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Suppression the formation of V-pits in InGaN/ GaN multi-quantum well growth and its effect on the performance of GaN based laser diodes 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2020, 卷号: 822, 页码: 153571
作者:  J. Yang ;  D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang;   S.T. Liu;   Y. Xing
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The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割
Optical Materials, 2018
作者:  Yang, J.;  Liu, S.T.;  Du, G.T.;  Zhang, Y.T.;  Li, M.
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Improvement of thermal stability of InGaN/GaN multiple-quantum-well by reducing the density of threading dislocations 期刊论文  OAI收割
OPTICAL MATERIALS, 2018, 卷号: 85, 页码: 14-17
作者:  J. Yang ;   D.G. Zhao;   D.S. Jiang ;   S.T. Liu ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   M. Li
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Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40
作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/11/19
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
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Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文  OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
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Compensation of magnesium by residual carbon impurities in p-type GaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 765, 页码: 245-248
作者:  H.R. Qi ;   L.K. Yi ;   J.L. Huang ;   S.T. Liu ;   F. Liang ;   M. Zhou ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang
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VUV-Sensitive Silicon Photomultipliers for Xenon Scintillation Light Detection in nEXO 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2823-2833
作者:  Côté, M.
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Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文  OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39
作者:  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  J.J. Zhu
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Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文  OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017
作者:  Liu, S.T.;  Yang, J.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liang, F.
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