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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 BAlN for III-nitride UV light-emitting diodes: undoped electron blocking layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 17, 页码: 175104 作者:  Gu, Wen;   Lu, Yi;   Lin, Rongyu;   Guo, Wenzhe;   Zhang, Zihui;   Ryou, Jae-Hyun;   Yan, Jianchang;   Wang, Junxi;   Li, Jinmin;   Li, Xiaohang   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2022/07/15 Externally-Strain-Engineered Semiconductor Photonic and Electronic Devices and Assemblies and Methods of Making Same 专利  OAI收割 专利号: US20190044307A1, 申请日期: 2019-02-07, 公开日期: 2019-02-07 作者:  RYOU, JAE-HYUN;  SHERVIN, SHAHAB;  KIM, SEUNG HWAN   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/30 InP based long wavelength VCSEL 专利  OAI收割 专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07 作者:  WANG, TZU-YU;  KWON, HOKI;  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON;  KIM, JIN K.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 专利  OAI收割 专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23 作者:  WANG, TZU-YU;  KIM, JIN K.;  KWON, HOKI;  PARK, GYOUNGWON;  RYOU, JAE-HYUN   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Dielectric VCSEL gain guide 专利  OAI收割 专利号: US7277461, 申请日期: 2007-10-02, 公开日期: 2007-10-02 作者:  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 VCSEL having thermal management 专利  OAI收割 专利号: US7075962, 申请日期: 2006-07-11, 公开日期: 2006-07-11 作者:  RYOU, JAE-HYUN;  RINGLE, MICHAEL D.;  LIU, YUE   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利  OAI收割 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03 作者:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Pseudomorphic layer in tunnel junction VCSEL 专利  OAI收割 专利号: US20050002430A1, 申请日期: 2005-01-06, 公开日期: 2005-01-06 作者:  RYOU, JAE-HYUN   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer 专利  OAI收割 专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23 作者:  CHANG, YING-LAN;  CORZINE, SCOTT W.;  DUPUIS, RUSSELL D.;  NOH, MIN SOO;  RYOU, JAE HYUN   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/26