中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共37条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
STCF conceptual design report (Volume 1): Physics & detector 期刊论文  OAI收割
FRONTIERS OF PHYSICS, 2024, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 14701
作者:  
Achasov, M;  Ai, XC;  An, LP;  Aliberti, R;  An, Q
  |  收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2026/03/18
Simulation studies for the first pathfinder of the CATCH space mission 期刊论文  OAI收割
EXPERIMENTAL ASTRONOMY, 2024, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 3
作者:  
Huang, YM;  Zhang, J;  Tao, L;  Li, ZW;  Zhao, DH
  |  收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2026/03/18
Correlating Single-Atomic Ruthenium Interdistance with Long-Range Interaction Boosts Hydrogen Evolution Reaction Kinetics 期刊论文  OAI收割
ADVANCED MATERIALS, 2024, 卷号: 36, 期号: 2
作者:  
Jiang, BW;  Zhu, JW;  Xia, ZZ;  Lyu, JH;  Li, XC
  |  收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2026/03/17
Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors 会议论文  OAI收割
作者:  
Kuang Y(匡勇);  Bu JH(卜建辉);  Li B(李博);  Gao LC(高林春);  Liang CP(梁春平)
  |  收藏  |  浏览/下载:42/0  |  提交时间:2019/05/10
A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  
Bu JH(卜建辉);  Li DL(李多力);  Xu GB(许高博);  Cai XW(蔡小五);  Kuang Y(匡勇)
  |  收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文  OAI收割
作者:  
Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山)
  |  收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文  OAI收割
Microelectronics Reliability, 2018
作者:  
Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生)
  |  收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2019/03/28
A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  
Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉);  Li Y(李莹);  Han ZS(韩郑生)
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2017/05/19
Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  
Li Y(李莹);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Bu JH(卜建辉)
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2017/05/19
Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices 期刊论文  OAI收割
Chinese Physics B, 2016
作者:  
Li BH(李彬鸿);  Luo JJ(罗家俊);  Li B(李博);  Bi JS(毕津顺);  Bu JH(卜建辉)
  |  收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2017/05/08