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STCF conceptual design report (Volume 1): Physics & detector
期刊论文
OAI收割
FRONTIERS OF PHYSICS, 2024, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 14701
作者:
Achasov, M
;
Ai, XC
;
An, LP
;
Aliberti, R
;
An, Q
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提交时间:2026/03/18
Simulation studies for the first pathfinder of the CATCH space mission
期刊论文
OAI收割
EXPERIMENTAL ASTRONOMY, 2024, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 3
作者:
Huang, YM
;
Zhang, J
;
Tao, L
;
Li, ZW
;
Zhao, DH
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2026/03/18
Correlating Single-Atomic Ruthenium Interdistance with Long-Range Interaction Boosts Hydrogen Evolution Reaction Kinetics
期刊论文
OAI收割
ADVANCED MATERIALS, 2024, 卷号: 36, 期号: 2
作者:
Jiang, BW
;
Zhu, JW
;
Xia, ZZ
;
Lyu, JH
;
Li, XC
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提交时间:2026/03/17
Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors
会议论文
OAI收割
作者:
Kuang Y(匡勇)
;
Bu JH(卜建辉)
;
Li B(李博)
;
Gao LC(高林春)
;
Liang CP(梁春平)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/05/10
A low leakage current Tunneling-FET based on SOI
会议论文
OAI收割
作者:
Bu JH(卜建辉)
;
Li DL(李多力)
;
Xu GB(许高博)
;
Cai XW(蔡小五)
;
Kuang Y(匡勇)
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
会议论文
OAI收割
作者:
Li B(李博)
;
Huang YB(黄云波)
;
L.Yang
;
Zhang QZ(张青竹)
;
Zheng ZS(郑中山)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2019/05/13
Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs
期刊论文
OAI收割
Microelectronics Reliability, 2018
作者:
Zheng ZS(郑中山)
;
Huang YB(黄云波)
;
Li B(李博)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Han ZS(韩郑生)
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/03/28
A Simulation Model for the PN Junction Based on SOI
会议论文
OAI收割
作者:
Luo JJ(罗家俊)
;
Bu JH(卜建辉)
;
Li Y(李莹)
;
Han ZS(韩郑生)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/05/19
Analysis and optimization of Tunneling-FET based on SOI
会议论文
OAI收割
作者:
Li Y(李莹)
;
Han ZS(韩郑生)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Bu JH(卜建辉)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/05/19
Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2016
作者:
Li BH(李彬鸿)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Li B(李博)
;
Bi JS(毕津顺)
;
Bu JH(卜建辉)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2017/05/08