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机构
西安光学精密机械研... [19]
采集方式
OAI收割 [19]
内容类型
专利 [19]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2014 [5]
2013 [1]
2012 [2]
2011 [1]
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通过生长不同的有源芯层和无源芯层的多波长量子级联激光器
专利
OAI收割
专利号: CN105164874B, 申请日期: 2017-12-22, 公开日期: 2017-12-22
作者:
C·G·卡诺
;
F·谢
;
C-E·扎赫
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提交时间:2019/12/26
用于光电子器件的无源波导结构
专利
OAI收割
专利号: CN106233550A, 申请日期: 2016-12-14, 公开日期: 2016-12-14
作者:
C·G·卡诺
;
谢峰
;
C·E·扎赫
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2020/01/18
包括多个MQW区的MQW激光器结构
专利
OAI收割
专利号: CN102246369B, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
作者:
R·巴特
;
J·内皮尔拉
;
D·兹佐夫
;
C-E·扎
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器的抗断裂金属化图案
专利
OAI收割
专利号: CN102405569B, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者:
S·C·查帕拉拉
;
M·H·胡
;
L·C·小休格斯
;
C-E·扎
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器的抗断裂金属化图案
专利
OAI收割
专利号: CN102405569B, 申请日期: 2014-06-11, 公开日期: 2014-06-11
作者:
S·C·查帕拉拉
;
M·H·胡
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/26
具有交叉指型加热器电极和底部电流约束层的激光源
专利
OAI收割
专利号: CN101849333B, 申请日期: 2014-04-16, 公开日期: 2014-04-16
作者:
M·H·胡
;
C·-E·扎
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提交时间:2019/12/26
用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理
专利
OAI收割
专利号: CN103563098A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
作者:
S·刘
;
B·J·帕德多克
;
C-E·扎
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提交时间:2019/12/31
具有含铟包层的半导体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN103403985A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
作者:
R·巴特
;
D·S·兹佐夫
;
C-E·扎
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提交时间:2019/12/31
量子阱混合
专利
OAI收割
专利号: CN101849277B, 申请日期: 2012-05-09, 公开日期: 2012-05-09
作者:
Y・李
;
K・宋
;
C-E・扎
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提交时间:2019/12/26
前光栅部和后光栅部的分离控制
专利
OAI收割
专利号: CN102396120A, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
作者:
H・K・恩古耶
;
C-E・扎
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提交时间:2019/12/31