机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

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• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 1996 [1]
• 1985 [5]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor device and its fabrication method 专利  OAI收割 专利号: US5481120, 申请日期: 1996-01-02, 公开日期: 1996-01-02 作者:  MOCHIZUKI, KAZUHIRO;  MISHIMA, TOMOYOSHI;  NAKAMURA, TOHRU;  MASUDA, HIROSHI;  TANOUE, TOMONORI   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1985132379A, 申请日期: 1985-07-15, 公开日期: 1985-07-15 作者:  FUJISAKI YOSHIHISA;  TSUJI SHINJI;  KAYANE NAOKI;  KAJIMURA TAKASHI;  KASHIWADA YASUTOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1985126881A, 申请日期: 1985-07-06, 公开日期: 1985-07-06 作者:  TSUJI SHINJI;  KAJIMURA TAKASHI;  KAYANE NAOKI;  FUJISAKI YOSHIHISA;  KASHIWADA YASUTOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1985060792A, 申请日期: 1985-04-08, 公开日期: 1985-04-08 作者:  FUJISAKI YOSHIHISA;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  KAJIMURA TAKASHI;  NAKAMURA MICHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/13 Compound semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1985021586A, 申请日期: 1985-02-02, 公开日期: 1985-02-02 作者:  HIRAO MOTONAO;  FUJISAKI YOSHIHISA;  TSUJI SHINJI;  NAKAYAMA YOSHINORI;  KASHIWADA YASUTOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1985020594A, 申请日期: 1985-02-01, 公开日期: 1985-02-01 作者:  KASHIWADA YASUTOSHI;  HIRAO MOTONAO;  TSUJI SHINJI;  FUJISAKI YOSHIHISA;  NAKAMURA MICHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18