机构

• 半导体研究所 [11]
• 数学与系统科学研究院 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [6]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [3]
• 2002 [5]
• 2001 [2]
• 1999 [2]
• 1992 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low-frequency noise properties of gan schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 523-525 作者:  Leung, BH;  Fong, WK;  Surya, C;  Lu, LW;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Low-frequency noise  Deep levels  Deep level transient fourier spectroscopy   Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 会议论文  OAI收割 1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003 Leung BH; Fong WK; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/10/29 GaN  low-frequency noise  deep levels  deep level transient Fourier spectroscopy  DEVICES   Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 523-525 Leung, BH; Fong, WK; Surya, C; Lu, LW; Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：353/96  |  提交时间：2010/03/09 GaN   Modelling subset multivariate ARCH model via the AIC principle 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY, 2002, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 1089-1099 作者:  An, HZ;  Fong, PW;  Li, WK   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/30 AIC principle  BIC  multivariate ARCH model  subset model   Characterization of deep levels in pt-gan schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 作者:  Leung, BH;  Chan, NH;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Ng, SW 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Deep level transient fourier spectroscopy  (dltfs)  Gallium nitride (gan)  Intermediate-temperature buffer layer (itbf)  Low-frequency noise   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：138/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES   Study of gan thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104 作者:  Lu, LW;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Leung, BH;  Surya, C 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Molecular beam epitaxy  Semiconducting materials   Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104 Lu LW; Fong WK; Zhu CF; Leung BH; Surya C; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：103/14  |  提交时间：2010/08/12 characterization  molecular beam epitaxy  semiconducting materials  STRAIN   Photoluminescence of rapid-thermal annealed mg-doped gan films 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 作者:  Wang, LS;  Fong, WK;  Surya, C;  Cheah, KW;  Zheng, WH 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 P-type gan  Metalorganic chemical vapor deposition  Photoluminescence  X-ray diffraction  Rapid-thermal annealing   Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2010/08/12 p-type GaN  metalorganic chemical vapor deposition  photoluminescence  X-ray diffraction  rapid-thermal annealing  P-TYPE GAN  RECOMBINATION  EMISSION  ENERGY  BANDS