机构

• 西安光学精密机械研究... [3]
• 高能物理研究所 [1]
• 武汉植物园 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 专利 [3]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2017 [1]
• 2012 [1]
• 1991 [1]
• 1989 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Uniformity evaluation of lattice spacing of si-28 single crystals 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on instrumentation and measurement, 2017, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 1304-1308 作者:  Waseda, Atsushi;  Fujimoto, Hiroyuki;  Zhang, Xiao Wei;  Kuramoto, Naoki;  Fujii, Kenichi 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/04/23 Avogadro constant  Lattice comparator  Lattice spacing  Silicon single crystal   Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy 期刊论文  OAI收割 AUTOPHAGY, 2012, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 445-544 作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdalla, Fabio C.;  Abeliovich, Hagai;  Abraham, Robert T.;  Acevedo-Arozena, Abraham   |  收藏  |  浏览/下载：211/0  |  提交时间：2018/12/29 autolysosome  autophagosome  flux  LC3  lysosome  phagophore  stress  vacuole   Algainp visible light semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1991112186A, 申请日期: 1991-05-13, 公开日期: 1991-05-13 作者:  KOBAYASHI KENICHI;  FUJII HIROAKI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1989042886A, 申请日期: 1989-02-15, 公开日期: 1989-02-15 作者:  FUJII HIROAKI;  KOBAYASHI KENICHI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1989032692A, 申请日期: 1989-02-02, 公开日期: 1989-02-02 作者:  FUJII HIROAKI;  KOBAYASHI KENICHI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18