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Method of making a semiconductor device having a non-alloyed ohmic contact to a buried doped layer 专利  OAI收割
专利号: US6258616, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10
作者:  
CUNNINGHAM, JOHN EDWARD;  GOOSSEN, KEITH WAYNE
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Wafer having top and bottom emitting vertical-cavity lasers 专利  OAI收割
专利号: US6222206, 申请日期: 2001-04-24, 公开日期: 2001-04-24
作者:  
CHIROVSKY, LEO MARIA;  CUNNINGHAM, JOHN EDWARD;  GOOSSEN, KEITH WAYNE;  HUI, SANGHEE PARK;  TSENG, BETTY JYUE
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/26
Method of fabricating oxide-aperture vertical cavity surface emitting lasers 专利  OAI收割
专利号: US6159760, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
作者:  
GOOSSEN, KEITH WAYNE;  NUSS, MARTIN C.
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26
Method and arrangement for arbitrary angle mirrors in substrates for use in hybrid optical systems 专利  OAI收割
专利号: EP0651266A3, 申请日期: 1997-12-10, 公开日期: 1997-12-10
作者:  
GOOSSEN, KEITH WAYNE;  WALKER, JAMES ALBERT
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
Surface-normal semiconductor optical cavity devices 专利  OAI收割
专利号: CA2158596A1, 申请日期: 1996-05-05, 公开日期: 1996-05-05
作者:  
CUNNINGHAM JOHN EDWARD;  GOOSSEN KEITH WAYNE
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2020/01/18
Surface-normal semiconductor optical cavity devices 专利  OAI收割
专利号: CA2147315A1, 申请日期: 1995-11-03, 公开日期: 1995-11-03
作者:  
GOOSSEN KEITH WAYNE
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/30
Integrated semiconductor devices and method for manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: EP0631317A2, 申请日期: 1994-12-28, 公开日期: 1994-12-28
作者:  
GOOSSEN, KEITH WAYNE
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/30