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西安光学精密机械研究... [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
专利 [7]
发表日期
2001 [2]
2000 [1]
1997 [1]
1996 [1]
1995 [1]
1994 [1]
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Method of making a semiconductor device having a non-alloyed ohmic contact to a buried doped layer
专利
OAI收割
专利号: US6258616, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10
作者:
CUNNINGHAM, JOHN EDWARD
;
GOOSSEN, KEITH WAYNE
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提交时间:2019/12/24
Wafer having top and bottom emitting vertical-cavity lasers
专利
OAI收割
专利号: US6222206, 申请日期: 2001-04-24, 公开日期: 2001-04-24
作者:
CHIROVSKY, LEO MARIA
;
CUNNINGHAM, JOHN EDWARD
;
GOOSSEN, KEITH WAYNE
;
HUI, SANGHEE PARK
;
TSENG, BETTY JYUE
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提交时间:2019/12/26
Method of fabricating oxide-aperture vertical cavity surface emitting lasers
专利
OAI收割
专利号: US6159760, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
作者:
GOOSSEN, KEITH WAYNE
;
NUSS, MARTIN C.
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提交时间:2019/12/26
Method and arrangement for arbitrary angle mirrors in substrates for use in hybrid optical systems
专利
OAI收割
专利号: EP0651266A3, 申请日期: 1997-12-10, 公开日期: 1997-12-10
作者:
GOOSSEN, KEITH WAYNE
;
WALKER, JAMES ALBERT
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提交时间:2020/01/18
Surface-normal semiconductor optical cavity devices
专利
OAI收割
专利号: CA2158596A1, 申请日期: 1996-05-05, 公开日期: 1996-05-05
作者:
CUNNINGHAM JOHN EDWARD
;
GOOSSEN KEITH WAYNE
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提交时间:2020/01/18
Surface-normal semiconductor optical cavity devices
专利
OAI收割
专利号: CA2147315A1, 申请日期: 1995-11-03, 公开日期: 1995-11-03
作者:
GOOSSEN KEITH WAYNE
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提交时间:2019/12/30
Integrated semiconductor devices and method for manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: EP0631317A2, 申请日期: 1994-12-28, 公开日期: 1994-12-28
作者:
GOOSSEN, KEITH WAYNE
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提交时间:2019/12/30