中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2005 [1]
2003 [2]
2002 [1]
1997 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Nitride based semiconductor light emitting device and nitride based semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US6914922, 申请日期: 2005-07-05, 公开日期: 2005-07-05
作者:
HAYASHI, NOBUHIKO
;
GOTO, TAKENORI
;
KANO, TAKASHI
;
NOMURA, YASUHIKO
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US6580736, 申请日期: 2003-06-17, 公开日期: 2003-06-17
作者:
YOSHIE, TOMOYUKI
;
GOTO, TAKENORI
;
HAYASHI, NOBUHIKO
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2020/01/13
Nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US6522676, 申请日期: 2003-02-18, 公开日期: 2003-02-18
作者:
GOTO, TAKENORI
;
HAYASHI, NOBUHIKO
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/01/13
Nitride based semiconductor laser device and method of fabricating the same
专利
OAI收割
专利号: US20020001327A1, 申请日期: 2002-01-03, 公开日期: 2002-01-03
作者:
GOTO, TAKENORI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser with a self sustained pulsation
专利
OAI收割
专利号: US5610096, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
作者:
YODOSHI, KEIICHI
;
IBARAKI, AKIRA
;
SHONO, MASAYUKI
;
HONDA, SHOJI
;
IKEGAMI, TAKATOSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser device and method of designing the same
专利
OAI收割
专利号: US5608752, 申请日期: 1997-03-04, 公开日期: 1997-03-04
作者:
GOTO, TAKENORI
;
HAYASHI, NOBUHIKO
;
MIYAKE, TERUAKI
;
MATSUMOTO, MITSUAKI
;
MATSUKAWA, KENICHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/12/24