机构

• 西安光学精密机械研究... [8]

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• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2012 [3]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 1997 [2]
• 1996 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Methods of forming light emitting devices having current reducing structures 专利  OAI收割 专利号: US20120153343A1, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21 作者:  EMERSON, DAVID TODD;  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL JOHN;  SLATER, JR., DAVID B.;  DONOFRIO, MATTHEW   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/30 Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices 专利  OAI收割 专利号: US20120080688A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05 作者:  RAFFETTO, MARK;  BHARATHAN, JAYESH;  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL;  EMERSON, DAVID   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 Light emitting devices having roughened/reflective contacts and methods of fabricating same 专利  OAI收割 专利号: US20120080709A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05 作者:  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL JOHN;  MIECZKOWSKI, VAN;  EMERSON, DAVID TODD   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures 专利  OAI收割 专利号: US20060002442A1, 申请日期: 2006-01-05, 公开日期: 2006-01-05 作者:  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL JOHN;  MIECZKOWSKI, VAN;  EMERSON, DAVID TODD   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures 专利  OAI收割 专利号: US6803602, 申请日期: 2004-10-12, 公开日期: 2004-10-12 作者:  KONG, HUA-SHUANG;  EDMOND, JOHN ADAM;  HABERERN, KEVIN WARD;  EMERSON, DAVID TODD   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for fabricating a ridge-shaped laser in a channel 专利  OAI收割 专利号: US5674779, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07 作者:  TIJBURG, RUDOLF P.;  HABERERN, KEVIN W.;  FLAMHOLTZ, SHARON J.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of making a stripe-geometry ii/vi semiconductor gain-guided injection laser structure using ion implantation 专利  OAI收割 专利号: WO1996039733A3, 申请日期: 1997-02-06, 公开日期: 1997-02-06 作者:  HABERERN KEVIN W   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 II-VI semiconductor diode laser having a strained layer 专利  OAI收割 专利号: US5561680, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01 作者:  HABERERN, KEVIN W.;  DRENTEN, RONALD R.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26