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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/04/17 Hole mobility  quantum well (QW)  SiGe  strained Si (sSi)   Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101 Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/17 Tunnel FET  Strained Si  Subthreshold swing  SiGe   High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 62, 期号: 1, 页码: 185-188 Yu,W; Zhang,B; Zhao,QT; Hartmann,JM; Buca,D; Nichau,A; Luptak,R; Lopes,JMJ; Lenk,S; Luysberg,M; Bourdelle,KK; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/10 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Mussler,G; Jin,L; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/10 AMER INST PHYSICS   Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 卷号: 14, 期号: 7, 页码: H261-H263 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/10 ELECTROCHEMICAL SOC INC   High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/metal-gate 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 62, 期号: 1, 页码: 185-188 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Hartmann, JM; Buca, D; Nichau, A; Luptak, R; Lopes, JMJ; Lenk, S; Luysberg, M; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Physics  Physics  Electrical & Electronic  Applied  Condensed Matter   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang, B; Yu, W; Zhao, QT; Mussler, G; Jin, L; Buca, D; Hollander, B; Hartmann, JM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室）; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Measurement of eta '(958) formation in two-photon collisions at lep1 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters b, 1998, 卷号: 418, 期号: 3-4, 页码: 399-410 作者:  Acciarri, M;  Adriani, O;  Aguilar-Benitez, M;  Ahlen, S;  Alcaraz, J 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/04/23 Inclusive j, psi' and chi(c) production in hadronic z decays 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters b, 1997, 卷号: 407, 期号: 3-4, 页码: 351-360 作者:  Acciarri, M;  Adriani, O;  AguilarBenitez, M;  Ahlen, S;  Alcaraz, J 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/04/23 Measurement of the weak charged current structure in semileptonic b-hadron decays at the z-peak 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters b, 1995, 卷号: 351, 期号: 1-3, 页码: 375-386 作者:  ACCIARRI, M;  ADAM, A;  ADRIANI, O;  AGUILARBENITEZ, M;  AHLEN, S 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/04/23