机构

• 西安光学精密机械研... [17]
• 中国科学院大学 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 专利 [17]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 1994 [1]
• 1992 [2]
• 1991 [1]
• 1990 [5]
• 1989 [2]
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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Highly efficient broadband near-infrared luminescence in ni2+-doped glass ceramics films containing cordierite nanocrystals 期刊论文  iSwitch采集 Journal of non-crystalline solids, 2009, 卷号: 355, 期号: 48-49, 页码: 2425-2428 作者:  Sun, Hong-Tao;  Shimaoka, Fumiaki;  Ruan, Jian;  Miwa, Yuji;  Fujii, Minoru 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/10 Luminescence  Silicates   Semiconductor laser devices and methods of making same 专利  OAI收割 专利号: EP0298778B1, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  YAMAGUCHI, MASAHIRO;  KANEIWA, SHINJI;  HAYASHI, HIROSHI;  KAWANISHI, HIDENORI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser devices 专利  OAI收割 专利号: EP0306314B1, 申请日期: 1992-11-19, 公开日期: 1992-11-19 作者:  KAWANISHI, HIDENORI;  YAMAGUCHI, MASAHIRO;  HAYASHI, HIROSHI;  MORIMOTO, TAIJI;  KANEIWA, SHINJI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 - 专利  OAI收割 专利号: JP1992006113B2, 申请日期: 1992-02-04, 公开日期: 1992-02-04 作者:  YAMAMOTO SABURO;  HAYASHI HIROSHI;  KANEIWA SHINJI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1991224284A, 申请日期: 1991-10-03, 公开日期: 1991-10-03 作者:  KASAI SHUSUKE;  MORIMOTO TAIJI;  KANEIWA SHINJI;  HAYASHI HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1990254784A, 申请日期: 1990-10-15, 公开日期: 1990-10-15 作者:  HAYASHI HIROSHI;  KANEIWA SHINJI;  MIYAUCHI NOBUYUKI;  MORIMOTO TAIJI;  KASAI SHUSUKE   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1990216884A, 申请日期: 1990-08-29, 公开日期: 1990-08-29 作者:  KANEIWA SHINJI;  HAYASHI HIROSHI;  MIYAUCHI NOBUYUKI;  KASAI SHUSUKE;  MORIMOTO TAIJI   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser element 专利  OAI收割 专利号: JP1990216885A, 申请日期: 1990-08-29, 公开日期: 1990-08-29 作者:  KANEIWA SHINJI;  KASAI SHUSUKE;  MORIMOTO TAIJI;  MIYAUCHI NOBUYUKI;  HAYASHI HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1990151093A, 申请日期: 1990-06-11, 公开日期: 1990-06-11 作者:  KASAI SHUSUKE;  MATSUMOTO AKIHIRO;  MORIMOTO TAIJI;  KANEIWA SHINJI;  MIYAUCHI NOBUYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device which is stable for a long period of time 专利  OAI收割 专利号: US4926431, 申请日期: 1990-05-15, 公开日期: 1990-05-15 作者:  KAWANISHI, HIDENORI;  HAYASHI, HIROSHI;  MORIMOTO, TAIJI;  KANEIWA, SHINJI;  YAMAGUCHI, MASAHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26