中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

条数/页： 排序方式：
Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (3rd edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2016, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 1-222
作者:  Arcaro, Alexandre;  Arias, Esperanza;  Arimoto, Hirokazu;  Ariosa, Aileen R.;  Armstrong, Jane L.
  |  收藏  |  浏览/下载：375/0  |  提交时间：2018/12/29
Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (3rd edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2016, 卷号: 12, 页码: 1-222
作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdelmohsen, Kotb;  Abe, Akihisa;  Abedin, Md Joynal;  Abeliovich, Hagai
  |  收藏  |  浏览/下载：616/0  |  提交时间：2018/05/31
Autolysosome  Autolysosome  Autophagosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Flux  Lc3  Lc3  Lysosome  Lysosome  Macroautophagy  Macroautophagy  Phagophore  Phagophore  Stress  Stress  Vacuole  Vacuole  Autolysosome  Autolysosome  Autophagosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Flux  Lc3  Lc3  Lysosome  Lysosome  Macroautophagy  Macroautophagy  Phagophore  Phagophore  Stress  Stress  Vacuole  Vacuole  Autolysosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Lc3  Lysosome  Macroautophagy  Phagophore  Stress  Vacuole  Autolysosome  Autophagosome  Chaperone-mediated Autophagy  Flux  Lc3  Lysosome  Macroautophagy  Phagophore  Stress  Vacuole  
Submount for optical semiconductor element 专利  OAI收割
专利号: JP1985074539A, 申请日期: 1985-04-26, 公开日期: 1985-04-26
作者:  SAITOU KATSUTOSHI;  TOKUDA MASAHIDE;  IMAI KUNINORI;  MIZUISHI KENICHI;  CHIBA KATSUAKI
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
Die bonding apparatus 专利  OAI收割
专利号: JP1984214230A, 申请日期: 1984-12-04, 公开日期: 1984-12-04
作者:  TAJIMA TAKESHI;  CHIBA KATSUAKI;  KANETOMO MASABUMI;  IMAI KUNINORI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Structure of submount for photo semiconductor element 专利  OAI收割
专利号: JP1984167038A, 申请日期: 1984-09-20, 公开日期: 1984-09-20
作者:  SAITOU KATSUTOSHI;  TOKUDA MASAHIDE;  ONOZATO AKIMASA;  IMAI KUNINORI;  KOBAYASHI MASAMICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18
Ohmic electrode forming method in compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1984107510A, 申请日期: 1984-06-21, 公开日期: 1984-06-21
作者:  MORI MITSUHIRO;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  SAITOU KATSUTOSHI;  IMAI KUNINORI
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31
Optical semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1984029482A, 申请日期: 1984-02-16, 公开日期: 1984-02-16
作者:  SATOU HITOSHI;  AOKI SATOSHI;  HARA MICHIO;  MIYAKE KIYOHIDE;  IMAI KUNINORI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13
P-side ohmic electrode for compound semiconductor 专利  OAI收割
专利号: JP1984011675A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21
作者:  MORI MITSUHIRO;  SAITOU KATSUTOSHI;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  CHIBA KATSUNUMA
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31