中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共13条,第1-10条 帮助

条数/页: 排序方式:
用于生产激光芯片的方法 专利  OAI收割
专利号: CN107078455A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
作者:  
S.格哈德;  T.阿德尔霍赫;  T.法伊特;  A.莱尔;  J.普法伊费尔
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31
背脊激光器 专利  OAI收割
专利号: CN104604052B, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  
J·米勒;  A·S·阿夫拉梅斯库
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26
具有一侧上加宽的脊结构的半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN105637721A, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2016-06-01
作者:  
C.艾希勒;  J.米勒;  F.科普
  |  收藏  |  浏览/下载:42/0  |  提交时间:2020/01/18
激光元件和用于制造激光元件的方法 专利  OAI收割
专利号: CN105453350A, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2016-03-30
作者:  
J.米勒;  M.霍恩
  |  收藏  |  浏览/下载:75/0  |  提交时间:2020/01/18
具有改进的折射率导引的半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN105284021A, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2016-01-27
作者:  
J·米勒;  A·莱尔
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
InP基板上的Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ层状构造 专利  OAI收割
专利号: CN101341022A, 申请日期: 2009-01-07, 公开日期: 2009-01-07
作者:  
孙晓光;  托马斯·J·米勒;  迈克尔·A·哈斯
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18
InP基板上的Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ多层结构 专利  OAI收割
专利号: CN1965452A, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16
作者:  
孙晓光;  托马斯·J·米勒;  迈克尔·A·哈斯
  |  收藏  |  浏览/下载:66/0  |  提交时间:2020/01/18
Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ族半导体界面的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN1218409C, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2005-09-07
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/26
补偿输出变化的激光二极管图象成象的方法和设备 专利  OAI收割
专利号: CN1165815C, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2004-09-08
作者:  
W・米勒;  J・F・克兰;  J・G・索萨;  G・E・卡巴纳
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26
掺杂镁的III-V氮化物及其制法 专利  OAI收割
专利号: CN1409778A, 申请日期: 2003-04-09, 公开日期: 2003-04-09
作者:  
格伦·S·所罗门;  戴维·J·米勒;  泰特苏佐·于达
  |  收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2020/01/18