机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 2003 [2]
• 1991 [2]
• 1990 [1]
• 1989 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US6570189, 申请日期: 2003-05-27, 公开日期: 2003-05-27 作者:  KASHIMA, YASUMASA;  MUNAKATA, TSUTOMU   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same 专利  OAI收割 专利号: US6562649, 申请日期: 2003-05-13, 公开日期: 2003-05-13 作者:  MUNAKATA, TSUTOMU;  KASHIMA, YASUMASA   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1991209787A, 申请日期: 1991-09-12, 公开日期: 1991-09-12 作者:  KASHIMA YASUMASA;  MATOBA AKIHIRO;  KOBAYASHI MASAO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Superluminescent diode 专利  OAI收割 专利号: US5034955, 申请日期: 1991-07-23, 公开日期: 1991-07-23 作者:  KASHIMA, YASUMASA   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990207583A, 申请日期: 1990-08-17, 公开日期: 1990-08-17 作者:  KOBAYASHI MASAO;  TSUBOTA TAKASHI;  KASHIMA YASUMASA   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989183183A, 申请日期: 1989-07-20, 公开日期: 1989-07-20 作者:  KOBAYASHI MASAO;  KASHIMA YASUMASA;  HOSOI YOJI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor light-emitting device and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1991125488A, 公开日期: 1991-05-28 作者:  HOSOI YOJI;  KOBAYASHI MASAO;  TSUBOTA TAKASHI;  KASHIMA YASUMASA   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26