机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 1990 [1]
• 1989 [1]
• 1988 [1]
• 1987 [2]
• 1986 [2]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Distributed feedback semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: JP1990246290A, 申请日期: 1990-10-02, 公开日期: 1990-10-02 作者:  MIYAZAWA TAKEO;  MIKAMI OSAMU;  KAWAMURA YUICHI;  NAGANUMA MITSURU   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 Mixed crystal formation for quantum well 专利  OAI收割 专利号: JP1989225188A, 申请日期: 1989-09-08, 公开日期: 1989-09-08 作者:  MIYAZAWA TAKEO;  KAWAMURA YUICHI;  MIKAMI OSAMU   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/31 Multiple quantum well negative resistance element and bistable light emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1988292683A, 申请日期: 1988-11-29, 公开日期: 1988-11-29 作者:  KAWAMURA YUICHI;  WAKITA KOICHI;  ASAHI HAJIME;  KURUMADA KATSUHIKO;  OE KUNISHIGE   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1987274682A, 申请日期: 1987-11-28, 公开日期: 1987-11-28 作者:  ASAHI HAJIME;  TANAKA HIDENAO;  KAWAMURA YUICHI;  WAKITA KOICHI;  NOJIMA SHUNJI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of semiconductor light emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1987229990A, 申请日期: 1987-10-08, 公开日期: 1987-10-08 作者:  KAWAMURA YUICHI;  WAKITA KOICHI;  ITAYA YOSHIO;  YOSHIKUNI YUZO;  ASAHI HAJIME   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986271887A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02 作者:  YOSHIKUNI YUZO;  KAWAMURA YUICHI;  WAKITA KOICHI;  TENMIYO JIRO;  ASAHI HAJIME   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 Quantum well semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986032590A, 申请日期: 1986-02-15, 公开日期: 1986-02-15 作者:  KAWAMURA YUICHI;  ASAHI HAJIME   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18