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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 White light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US20060267026A1, 申请日期: 2006-11-30, 公开日期: 2006-11-30 作者:  KIM, MIN HO;  KOIKE, MASAYOSHI;  MIN, KYEONG IK;  CHO, MYONG SOO   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/12/30 Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  TEZEN, YUTA;  YAMASHITA, HIROSHI;  NAGAI, SEIJI;  HIRAMATSU, TOSHIO   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/24 Group III nitride compound semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US6801559, 申请日期: 2004-10-05, 公开日期: 2004-10-05 作者:  HATANO, TAKASHI;  IWAYAMA, SHO;  KOIKE, MASAYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US6680957, 申请日期: 2004-01-20, 公开日期: 2004-01-20 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO;  TEZEN, YUTA;  NAGAI, SEIJI;  KOJIMA, AKIRA   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: US6617061, 申请日期: 2003-09-09, 公开日期: 2003-09-09 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US6552376, 申请日期: 2003-04-22, 公开日期: 2003-04-22 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利  OAI收割 专利号: US6486068, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26 作者:  YAMASAKI, SHIRO;  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: WO2001084608A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  NAGAI, SEIJI;  TEZEN, YUTA   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利  OAI收割 专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KACHI, TETSU   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same 专利  OAI收割 专利号: US5604763, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18 作者:  KATO, HISAKI;  KOIDE, NORIKATSU;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26