机构

• 西安光学精密机械研究... [6]
• 工程热物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [6]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2003 [2]
• 1990 [1]
• 1989 [4]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Development of a Torque Limiting Device to Provide a Measure Against Grid Blackout in Gas Turbine Power Generating Plants 会议论文  OAI收割 ASME:INDUSTRIAL AND COGENERATION, 2003 Mituso Toyoda,Gaisa Matsumoto,Kunihiro Kokubu,Shonosuke Koga,Yoshihiro Takahashi,Akira Maesono,Teruo Sakumi,Hideki Nakamura,Tatsuro Abe 收藏  |   Development of a Torque Limiting Device to Provide a Measure Against Grid Blackout in Gas Turbine Power Generating Plants 会议论文  OAI收割 2003 Mituso Toyoda,Gaisa Matsumoto,Kunihiro Kokubu,Shonosuke Koga,Yoshihiro Takahashi,Akira Maesono,Teruo Sakumi,Hideki Nakamura,Tatsuro Abe   |  收藏  |   Manufacture of semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1990262388A, 申请日期: 1990-10-25, 公开日期: 1990-10-25 作者:  TSUBURAI YASUHIKO;  NISHIKAWA YUKIE;  ISHIKAWA MASAYUKI;  KOKUBU YOSHIHIRO   |  收藏  |   Visible light emitting element 专利  OAI收割 专利号: JP1989286480A, 申请日期: 1989-11-17, 公开日期: 1989-11-17 作者:  NOZAKI CHIHARU;  KOKUBU YOSHIHIRO   |  收藏  |   Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989286486A, 申请日期: 1989-11-17, 公开日期: 1989-11-17 作者:  NISHIKAWA YUKIE   |  收藏  |   Semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: JP1989241190A, 申请日期: 1989-09-26, 公开日期: 1989-09-26 作者:  SUGAWARA HIDETO;  OBA YASUO;  KOKUBU YOSHIHIRO   |  收藏  |   Semiconductor crystal growth method 专利  OAI收割 专利号: JP1989222433A, 申请日期: 1989-09-05, 公开日期: 1989-09-05 作者:  NARIZUKA SHIGEYA;  OBA YASUO;  KOKUBU YOSHIHIRO   |  收藏  |   Visible light emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1989194379A, 公开日期: 1989-08-04 作者:  NOZAKI CHIHARU;  OBA YASUO;  KOKUBU YOSHIHIRO;  ITAYA KAZUHIKO   |  收藏  |