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	Development of a Torque Limiting Device to Provide a Measure Against Grid Blackout in Gas Turbine Power Generating Plants 会议论文 OAI收割 ASME:INDUSTRIAL AND COGENERATION, 2003 Mituso Toyoda,Gaisa Matsumoto,Kunihiro Kokubu,Shonosuke Koga,Yoshihiro Takahashi,Akira Maesono,Teruo Sakumi,Hideki Nakamura,Tatsuro Abe 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2011/11/28
	Development of a Torque Limiting Device to Provide a Measure Against Grid Blackout in Gas Turbine Power Generating Plants 会议论文 OAI收割 2003 Mituso Toyoda,Gaisa Matsumoto,Kunihiro Kokubu,Shonosuke Koga,Yoshihiro Takahashi,Akira Maesono,Teruo Sakumi,Hideki Nakamura,Tatsuro Abe \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2011/11/28
	Manufacture of semiconductor light-emitting device 专利 OAI收割专利号: JP1990262388A, 申请日期: 1990-10-25, 公开日期: 1990-10-25 作者: TSUBURAI YASUHIKO; NISHIKAWA YUKIE; ISHIKAWA MASAYUKI; KOKUBU YOSHIHIRO \| 收藏 \| 浏览/下载：57/0 \| 提交时间：2020/01/18
	Visible light emitting element 专利 OAI收割专利号: JP1989286480A, 申请日期: 1989-11-17, 公开日期: 1989-11-17 作者: NOZAKI CHIHARU; KOKUBU YOSHIHIRO \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Manufacture of semiconductor laser 专利 OAI收割专利号: JP1989286486A, 申请日期: 1989-11-17, 公开日期: 1989-11-17 作者: NISHIKAWA YUKIE; TSUBURAI YASUHIKO; KOKUBU YOSHIHIRO \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2020/01/18
	Semiconductor element 专利 OAI收割专利号: JP1989241190A, 申请日期: 1989-09-26, 公开日期: 1989-09-26 作者: SUGAWARA HIDETO; OBA YASUO; KOKUBU YOSHIHIRO \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2020/01/13
	Semiconductor crystal growth method 专利 OAI收割专利号: JP1989222433A, 申请日期: 1989-09-05, 公开日期: 1989-09-05 作者: NARIZUKA SHIGEYA; OBA YASUO; KOKUBU YOSHIHIRO \| 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2019/12/31
	Visible light emitting device 专利 OAI收割专利号: JP1989194379A, 公开日期: 1989-08-04 作者: NOZAKI CHIHARU; OBA YASUO; KOKUBU YOSHIHIRO; ITAYA KAZUHIKO \| 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/12/26