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• 西安光学精密机械研究... [6]
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发表日期

• 2015 [1]
• 2003 [1]
• 1998 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anisotropic thermal conductivity in single crystal beta-gallium oxide 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 106, 期号: 11 作者:   收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/10/27 Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US6555403, 申请日期: 2003-04-29, 公开日期: 2003-04-29 作者:  DOMEN, KAY;  KUBOTA, SHINICHI;  KURAMATA, AKITO;  SOEJIMA, REIKO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser and method for fabricating the same 专利  OAI收割 专利号: US5850410, 申请日期: 1998-12-15, 公开日期: 1998-12-15 作者:  KURAMATA, AKITO   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: EP0616400A2, 申请日期: 1994-09-21, 公开日期: 1994-09-21 作者:  UCHIDA, TORU, C/O FUJITSU LIMITED;  ANAYAMA, CHIKASHI, C/O FUJITSU LIMITED;  YAMAZAKI, SUSUMU, C/O FUJITSU LIMITED;  KURAKAKE, HIROHIDE, C/O FUJITSU LIMITED;  KURAMATA, AKITO, C/O FUJITSU LIMITED   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1992127490A, 申请日期: 1992-04-28, 公开日期: 1992-04-28 作者:  TAKEUCHI TATSUYA;  KURAMATA AKITO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Process for growing semiconductor crystal 专利  OAI收割 专利号: EP0477374A1, 申请日期: 1992-04-01, 公开日期: 1992-04-01 作者:  KURAMATA, AKITO   |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2020/01/18 Selectively growing method for crystal 专利  OAI收割 专利号: JP1988058923A, 申请日期: 1988-03-14, 公开日期: 1988-03-14 作者:  TOMIYAMA CHISATO;  KURAMATA AKITO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31