机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

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• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2013 [1]
• 1990 [3]
• 1989 [2]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor device and heat sink with 3-dimensional thermal conductivity 专利  OAI收割 专利号: US8476756, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02 作者:  KURODA, NAOTAKA;  WAKEJIMA, AKIO;  TANOMURA, MASAHIRO;  MIYAMOTO, HIRONOBU   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Buried hetero-structure semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990234487A, 申请日期: 1990-09-17, 公开日期: 1990-09-17 作者:  KURODA NAOTAKA   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Embedded structure semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1990188983A, 申请日期: 1990-07-25, 公开日期: 1990-07-25 作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO;  SUGAO SHIGEO;  KURODA NAOTAKA   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1990005589A, 申请日期: 1990-01-10, 公开日期: 1990-01-10 作者:  KURODA NAOTAKA   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 Buried heterostructure semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989315184A, 申请日期: 1989-12-20, 公开日期: 1989-12-20 作者:  KURODA NAOTAKA   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor light emitting element of buried hetero structure 专利  OAI收割 专利号: JP1989202889A, 申请日期: 1989-08-15, 公开日期: 1989-08-15 作者:  MATSUMOTO TAKU;  KOIZUMI YOSHIHIRO;  KURODA NAOTAKA   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31