机构

• 半导体研究所 [5]
• 上海微系统与信息技术... [2]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2002 [2]
• 1998 [2]
• 1996 [1]
• 1995 [2]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• Physics, A... [1]
• Physics, M... [1]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Depth dependence of the tetragonal distortion of a gan layer on si(111) studied by rutherford backscattering/channeling 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132 作者:  Wu, MF;  Chen, CC;  Zhu, DZ;  Zhou, SQ;  Vantomme, A 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Depth dependence of the tetragonal distortion of a GaN layer on Si(111) studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 22, 页码: 4130-4132 Wu MF; Chen CC; Zhu DZ; Zhou SQ; Vantomme A; Langouche G; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  ELASTIC STRAIN  INGAN   Structural study of ysi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 作者:  Wu, MF;  Yao, SD;  Vantomme, A;  Hogg, S;  Pattyn, H 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)   X-ray-diffraction study of quasipseudomorphic ErSi1.7 layers formed by channeled ion-beam synthesis 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 10, 页码: 5713-5717 Wu MF; Vantomme A; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/17 EPITAXIAL ERBIUM SILICIDE  RARE-EARTH SILICIDES  DIFFUSION MARKER EXPERIMENTS  THIN-FILMS  111 SI  ELECTRICAL-PROPERTIES  ATOMIC-STRUCTURE  IMPLANTED SI  YTTRIUM  GROWTH   ION-BEAM SYNTHESIS OF TERNARY PHASE COFE-SILICIDE IN (111)SILICON 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 986-988 TAVARES, J; BENDER, H; WU, MF; VANTOMME, A; LANGOUCHE, G; LIN, C 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 IMPLANTATION  LAYERS   HREM characterization of ion beans synthesized ternary silicides in (111) silicon 期刊论文  OAI收割 MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995, 1995, 卷号: 146, 页码: 533-536 Tavares, J; Bender, H; Wu, MF; Vantomme, A; Langouche, G; Lin, C 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/25 IMPLANTATION