机构

• 微电子研究所 [20]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [21]

内容类型

• 期刊论文 [18]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2015 [4]
• 2014 [6]
• 2013 [11]

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A write buffer design based on stable and area-saving embedded SRAM for flash applications 期刊论文  OAI收割 Technological Sciences, 2015 作者:  Liu M(刘明);  Huo ZL(霍宗亮);  Cao HM(曹华敏)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/03 Effect of carbon types on the generation and morphology of GaN polycrystals grown using the Na flux method 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2015, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 7 作者:  Liu, ZL（刘宗亮）;  Ren, GQ（任国强）;  Shi, L（石林）;  Su, XJ（苏旭军）;  Wang, JF（王建峰） 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/31 Low-temperature post-deposition annealing investigation for 3D 期刊论文  OAI收割 Applied Physics A Materials Science & Precessing, 2015 作者:  Liu M(刘明);  Ye TC(叶甜春);  Li XK(李新开);  Han YL(韩宇龙);  Jin L(靳磊)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/06/03 Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 作者:  Jin L(靳磊);  Liu M(刘明);  Jiang DD(姜丹丹);  Huo ZL(霍宗亮);  Wang Y(王艳)   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/24 A 65nm 1Gb NOR Floating-gate Flash Memory with Less than 50ns Access time 期刊论文  OAI收割 Chinese Science bulletin, 2014, 期号: 29, 页码: 3935-3942 作者:  Liu M(刘明);  Wang Y(王瑜);  Huo ZL(霍宗亮)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/04/13 Thermally assisted magnetic switching of a single perpendicularly magnetized layer induced by an in-plane current 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014 作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Liu Q(刘琦);  Yao ZH(姚志宏);  Li L(李泠)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/14 Direct Observation of Conversion between Threshold Switching and Memory Switching Induced by Conductive Channel Morphology 期刊论文  OAI收割 Advanced Funcitonal Materials, 2014, 期号: 36, 页码: 5679-5686 作者:  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Bi C(毕冲);  Huo ZL(霍宗亮);  Li L(李泠)   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/04/14 Metal Floating Gate Memory Device with SiO2/HfO2 Dual-layer as Engineered Tunneling Barrier 期刊论文  OAI收割 Electron Device Letters, 2014 作者:  Han YL(韩宇龙);  Chen GX(陈国星);  Huo ZL(霍宗亮);  Jin L(靳磊);  Li XK(李新开)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/04/15 Comparison between N2 and O2 anneals on the integrity of an Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2014 作者:  Chu YQ(褚玉琼);  Zhang MH(张满红);  Huo ZL(霍宗亮);  Liu M(刘明)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/04/15 Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2014 作者:  Jin L(靳磊);  Huo ZL(霍宗亮);  Zhao SJ(赵盛杰);  Han YL(韩宇龙);  Chen GX(陈国星)   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/15