机构

• 西安光学精密机械研究... [6]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [6]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2021 [1]
• 2011 [2]
• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 1992 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition) 期刊论文  OAI收割 AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17 作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdel-Aziz, Amal Kamal;  Abdelfatah, Sara;  Abdellatif, Mahmoud;  Abdoli, Asghar   |  收藏  |  浏览/下载：319/0  |  提交时间：2021/05/31 Autophagosome  cancer  flux  LC3  lysosome  macroautophagy  neurodegeneration  phagophore  stress  vacuole   Vertical cavity surface emitting laser 专利  OAI收割 专利号: US8077752, 申请日期: 2011-12-13, 公开日期: 2011-12-13 作者:  MAEDA, OSAMU;  SHIOZAKI, MASAKI;  ARAKIDA, TAKAHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 Vertical cavity surface emitting laser 专利  OAI收割 专利号: US7912105, 申请日期: 2011-03-22, 公开日期: 2011-03-22 作者:  MAEDA, OSAMU;  SHIOZAKI, MASAKI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Vertical cavity surface emitting laser and method for manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US7675956, 申请日期: 2010-03-09, 公开日期: 2010-03-09 作者:  MAEDA, OSAMU;  SHIOZAKI, MASAKI;  YAMAGUCHI, NORIHIKO;  YAMAUCHI, YOSHINORI;  ARAKIDA, TAKAHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Vertical cavity surface emitting laser 专利  OAI收割 专利号: US20070014324A1, 申请日期: 2007-01-18, 公开日期: 2007-01-18 作者:  MAEDA, OSAMU;  SHIOZAKI, MASAKI;  YAMAGUCHI, NORIHIKO;  YAMAUCHI, YOSHINORI;  MASUI, YUJI   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor material having si-doped gainp cap layer 专利  OAI收割 专利号: JP1992278522A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor material of light emitting element provided with distorted active layer 专利  OAI收割 专利号: JP1992369874A, 公开日期: 1992-12-22 作者:  TADATOMO KAZUYUKI;  WATABE SHINICHI;  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/26