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• 西安光学精密机械研究... [8]

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发表日期

• 1997 [1]
• 1994 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US5663974, 申请日期: 1997-09-02, 公开日期: 1997-09-02 作者:  TSUJIMURA, AYUMU;  OKAWA, KAZUHIRO;  KAMIYAMA, SATOSHI;  MITSUYU, TSUNEO   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode 专利  OAI收割 专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23 作者:  HAYASHI, SHIGEO;  OKAWA, KAZUHIRO;  MITSUYU, TSUNEO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1992273494A, 申请日期: 1992-09-29, 公开日期: 1992-09-29 作者:  OKAWA KAZUHIRO;  UENO AKIRA;  MITSUYU TSUNEO   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 Superlattice structure semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1991020096A, 申请日期: 1991-01-29, 公开日期: 1991-01-29 作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Element with superlattice structure 专利  OAI收割 专利号: JP1990114648A, 申请日期: 1990-04-26, 公开日期: 1990-04-26 作者:  KARASAWA TAKESHI;  OKAWA KAZUHIRO;  MITSUYU TSUNEO   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Superlattice structure semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1990100381A, 申请日期: 1990-04-12, 公开日期: 1990-04-12 作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 Superlattice structure semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1990096384A, 申请日期: 1990-04-09, 公开日期: 1990-04-09 作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  KARASAWA TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1988227027A, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21 作者:  MITSUYU TSUNEO;  OKAWA KAZUHIRO;  YAMAZAKI OSAMU   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18